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LSK389超低噪聲單芯片雙通道N溝道JFET

發布時間：2024-01-11 09:41:14 瀏覽：822

LSK389 系列超低噪聲、單片雙通道 N 溝道 JFET，現已經過 100% 測試，符合或超過噪聲規格。

LSK389 是同類產品中噪聲最低的結型場效應晶體管 (JFET)，十多年來一直用于超高端應用。LSK389使開發人員能夠為傳感器、專業音頻設備和其他應用創建噪聲最低的信號鏈。

Linear Systems推出 LSK389 后，能夠對小信號分立元件進行單獨篩選，其噪聲水平低于十億分之一伏特 (nV/√Hz)，數量可達數萬個零件。這種測試能力是全球唯一的測試能力，可確保所有出廠的LSK389都不會產生突發(RTN或爆米花)噪聲，并達到或超過1/f和寬帶噪聲規格。

LSK389超低噪聲單芯片雙通道N溝道JFET

LSK389 超低噪聲、單芯片雙通道 N 溝道 JFET 為設計人員提供了一種性能更好的解決方案，與使用單個 JFET 或非單片雙通道 JFET 相比，可實現更緊密的 IDSS 匹配和更好的熱跟蹤。該器件是高跨導、超低噪聲和相對低輸入電容的理想組合。

LSK389 是 Linear Systems 低噪聲 JFET 系列的領先產品。LSK170 是 LSK389 的 N 溝道單通道版本，LSJ74 是 LSK170 的 P 溝道對應版本。與LSK389相比，N溝道雙LSK489的噪聲略高，但輸入電容較低，LSJ689是其P溝道雙通道。除 LSK 系列外，所有 Linear Systems 的 JFET 標準產品的噪聲都遠低于其他制造商的產品，并以改進標準產品?商標進行銷售。

特征描述：

超低噪聲：en = 1.3nV/√Hz (典型值)，f = 1.0kHz，NBW = 1.0Hz

四個等級的IDSS：2.6-6.5mA、6.0-12.0mA、10.0-20.0mA和17-30mA，IDSS匹配率為10%

緊密匹配：IVGS1-2I = 15mV(最大值)

高擊穿電壓：BVGSS = 40V(最大值)

高增益：Gfs = 20mS (典型值)

相對較低的電容：25pF (典型值)

采用表面貼裝 SOIC 8L 和通孔 TO-71 6L 封裝。

好處：

改進的信號鏈噪聲性能

由于獨特的單片交錯式雙設計結構，可實現更好的匹配和熱跟蹤

通過提供寬輸出擺幅，為電池供電應用提供更好的性能